湘大唐明华教授课题组在《先进科学》发表忆阻器研究新进展

湖南日报·新湖南客户端 2024-03-29 15:12:38

湖南日报·新湖南客户端3月29日讯（通讯员曾坛）近日，湘潭大学材料科学与工程学院唐明华教授课题组在基于有机忆阻器件的仿生突触模拟及神经形态计算研究方面取得了重要进展。研究成果《使用聚电解质/三 ( 4-氨基苯基 ) 胺神经递质的多孔限制离子忆阻器模拟双向抑制性突触》 ( Mimicking Bidirectional Inhibitory Synapse Using a Porous-Confined Ionic Memristor with Electrolyte/Tris(4-aminophenyl)amine Ne urotransmitter ) 发表于国际知名期刊《先进科学》 ( Advanced Science，中科院1区Top期刊，影响因子15.1 ) 。

湘潭大学材料科学与工程学院博士研究生陈康为第一作者；湘潭大学唐明华教授，南京工业大学刘举庆教授和周哲博士后为该论文的共同通讯作者；湘潭大学为论文第一完成单位。

该论文成功验证了双向抑制性突触器件作为神经形态计算节点的可行性，为构建纳米通道离子记忆材料、实现完全抑制性突触器件提供了一条可靠的道路。目前，该工作得到了科技部国家重点研发计划、国家自然科学基金“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划、国家自然科学基金重点项目、国家自然科学基金区域创新发展联合基金重点项目的支持。

唐明华教授课题组面向国家重大战略需求，长期致力于铁电存储器/阻变存储器、硅漂移探测器、类脑计算与感存算一体智能芯片技术研究，在 Advanced Materials、Advanced Functional Materials、IEEE Journal of Solid-State Circuits、IEEE Electron Device Letters 等著名刊物上发表SCI收录论文100余篇（最高单篇引用801次），获授权国家发明专利 21 项，集成电路布图设计著作权1项；获湖南省自然科学奖一等奖、二等奖各1项，国家级高等教育教学成果奖二等奖1项，湖南省高等教育教学成果奖一等奖 1项、二等奖3项。

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来源：湖南日报·新湖南客户端

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